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正在进行的840EVOSSD性能问时时彩平台推荐题的第二个补丁由三星

据报道,在第一次调整未能解决问题之后,三星正在为其840EVO准备第二个补丁。由于具有杀手级的性价比和使用SLCNAND模块来提升整个驱动器的性能,840EVO在推出后赢得了时时彩平台注册广泛的赞誉。与老款840一样,840EVO采用TLC(三级单元)NAND来提高存储密度,同时降低价格。

不幸的是,最终很明显840EVO潜伏着机翼。随着时间的推移,驱动器性能急剧下降。根据三星的原始时时彩计划稳赢手机版解释,用于从NAND单元读取数据的机制存在一个错误。随着时间的推@Anson@SEO@移,电池的充电特性发生变化,驱动器开始难以从电池中读出适当的信息。这种转变在某种程度上都发生在所有NAND中,但TLC驱动器对它更敏感,它们在每个单元的8个单独电荷电平中打包,而传统MLCNAND每个电池只有4个。

去年,三星发布了一个更新的固件,据说一劳永逸地解决了这个问题,除了现在,四个月之后,有关问题的报道正在逐渐消退。这个问题似乎没有那么先进,但是性能命中率还没有将驱动器推入150MB/s的领域,而不是去年秋天我们看到的15-30MB/s,但可能是因为降级是渐进的并且随着时间的推移而恶化。当消费者去年意识到这个问题时,840EVO已经上市了好几个月。

这是TLCNAND的基本问题吗?

有几种方法可以评估这些问题持续的问题。完全有可能三星在第一次更新中解决了大部分问题,但仍有一些错误需要修补。另一方面,840EVO的漂移性能可能是其三星无法在短期内解决的NAND阵列的基本问题。如果是这样,它将通过公司推动使用TLCNAND。如果在这个驱动器上出现相同的问题,850EVO将会得到大量额外的关注,这将被视为TLCNAND根本不准备黄金时间的证据,无论如何。

新的性能下降并不像这样糟糕,但它们已经足够糟糕了

这就是说,有理由认为850EVO不会出现同样的问题。使用较旧的NAND工艺的一个优点是,单元结构开始时更加稳健。建立在40nm上的TLCNAND完全有可能避免影响较小工艺几何形状的问题。如果三星不能一劳永逸地消除这个问题,那么随着时间的推移,请密切关注这个问题,840EVO将永久性地黯然失色。

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